- EEPROM
-
Типы компьютерной памяти Энергозависимая - DRAM (в том числе DDR SDRAM)
- SRAM
- Перспективные
- T-RAM
- Z-RAM
- TTRAM
- Из истории
- Память на линиях задержки
- Запоминающая электронстатическая трубка
- Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая - ПЗУ
- PROM
- EPROM
- EEPROM
- Флеш-память
- Первые разработки
- Перспективные
- Из истории
- Магнитный барабан
- Память на магнитных сердечниках
- Память на магнитной проволоке
- Пузырьковая память
- Память на твисторах
EEPROM (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких как PROM и EPROM). Память такого типа может стираться и заполняться данными до миллиона раз.
На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена флеш-памятью типа NOR. Однако название EEPROM прочно закрепилось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии.
Принцип действия
Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.[1]
Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора (эффект Hot carrier injection (англ.)русск.).
Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора что и регистрируется цепями чтения.
Основная особенность классической ячейки EEPROM — наличие второго транзистора который помогает управлять режимами записи и стирания. Некоторые реализации выполнялись в виде одного трехзатворного полевого транзистора (один затвор плавающий и два обычных).
Эта конструкция снабжается элементами которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. Поскольку ячейка EEPROM имеет третий затвор то помимо подложки к каждой ячейке подходят 3 проводника (один проводник столбцов и 2 проводника строк).
Список производителей EEPROM
- Mikron Sitronics
- Aplus Flash Technology
- Mitsubishi
- Atmel
- Hitachi
- Infineon
- Maxwell Technologies
- Microchip Technology
- NXP Semiconductors
- Renesas Technology
- ROHM Electronics
- Samsung Electronics
- SmarfTech
- STMicroelectronics
- Seiko Instruments
- Winbond
- Catalyst Semiconductor Inc
Примечания
Для улучшения этой статьи желательно?: - Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное.
- Добавить иллюстрации.
Категория:- Энергонезависимая память
Wikimedia Foundation. 2010.